5月5日消息，格芯與美國國防部簽署了一項價值1.17億美元的協議，為美國國防部提供差異化的45nm SOI平臺制造的半導體芯片。這些芯片將用于美國國防和航空航天領域的敏感應用。首批芯片目標在2023年開始交付。

　　據報道，根據協議，這些芯片制造將從格芯位于紐約東菲什基爾的Fab 10轉移到紐約馬耳他的Fab 8。除了為國防部提供不間斷的供應外，這還將使得格芯在Fab 10被安森美收購后，繼續向客戶供應其45nm SOI平臺制造的芯片。

　　格芯首席執行官Tom Caulfield在一份新聞稿中說，“這一新的供應和技術轉讓協議展示了強有力的公私伙伴關系，這是一個極好的例子，說明聯邦政府在半導體制造領域的合作和投資可以對加強國內供應鏈產生影響。我們的合作關系促進了國家經濟，同時也確保了美國政府在航空航天、國防和其他關鍵任務應用方面所需的芯片的戰略和可靠供應。”